Samsung 850 EVO Serial ATA III - SECOMP GmbH
Samsung 850 EVO Serial ATA III Samsung 850 EVO Serial ATA III

Samsung 850 EVO Serial ATA III

Art.-Nr. 514577538
Hersteller SAMSUNG
Herst.-Art.-Nr. MZ-75E1T0B/EU
EAN 8806086523042
Paketgewicht 0,13 kg

Samsung 850 EVO. SSD Speicherkapazität: 1000 GB, SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle: Serial ATA III, Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s. SSD-Formfaktor: 2.5", Produktfarbe: Schwarz. Stromverbrauch (Sleep-Modus): 0,004 W, Energieverbrauch (lesen): 3,7 W, Energieverbrauch (schreiben): 4,4 W. Breite: 69,8 mm, Tiefe: 100 mm, Höhe: 6,8 mm

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie? Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht. Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie. Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg. *PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO). **Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO). Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur. Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg. *PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid Mode). Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND. Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt. *Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Hersteller SAMSUNG
Produkttyp Interne Solid State Drives (SSD)
Kapazität 1000 GB
Gewicht & Abmessungen
Breite 69,8 mm
Tiefe 100 mm
Höhe 6,8 mm
Gewicht 53 g
Energie
Stromverbrauch (Sleep-Modus) 0,004 W
Energieverbrauch (lesen) 3,7 W
Energieverbrauch (schreiben) 4,4 W
Energieverbrauch (idle) 0,05 W
Technische Details
Temperaturbereich in Betrieb 0 - 70 °C
Temperaturbereich bei Lagerung 40 - 85 °C
Luftfeuchtigkeit (außer Betrieb) 5 - 95%
Stoßfest (außer Betrieb) 1500 G
Vibrationen außer Betrieb 20 G
Software
Unterstützte Windows-Betriebssysteme Ja
Weitere Spezifikationen
Eingebaut Ja
Design
SSD-Formfaktor 2.5"
Produktfarbe Schwarz
Leistung
SSD Speicherkapazität 1000 GB
SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle Serial ATA III
Lesegeschwindigkeit 540 MB/s
Schreibgeschwindigkeit 520 MB/s
Datenübertragungsrate 6 Gbit/s
Laufwerk, Puffergröße 1024 MB
Zufälliges Lesen (4KB) 98000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB) 90000 IOPS
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen 256-bit AES
S.M.A.R.T. Unterstützung Ja
TRIM-Unterstützung Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h